MOS管外部封裝-最新封裝形式概覽
下面我們介紹主要的MOSFET生產廠商所采用的最新封裝形式。
瑞薩（RENESAS）的WPAK、LFPAK和LFPAK-I封裝
1、WPAK是瑞薩開發的一種高熱輻射封裝，通過仿D-PAK封裝那樣把芯片散熱板焊接在主板上，通過主板散熱，使小形封裝的WPAK也可以達到D-PAK的輸出電流。WPAK-D2封裝了高/低2顆MOSFET，減小布線電感。
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2、LFPAK和LFPAK-I是瑞薩開發的另外2種與SO-8兼容的小形封裝。LFPAK類似D-PAK比D-PAK體積小。LFPAK-i是將散熱板向上，通過散熱片散熱。
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威世（Vishay）的Power-PAK和Polar-PAK封裝
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Power-PAK是威世公司注冊的MOSFET封裝名稱。Power-PAK包括有Power-PAK1212-8、Power-PAK SO-8兩種規格。Polar PAK是雙面散熱的小形封裝。
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安森美（Onsemi）的SO-8和WDFN8扁平引腳（Flat Lead）封裝
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安美森半導體開發了2種扁平引腳的MOSFET，其中SO-8兼容的扁平引腳被很多板卡采用。
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菲利普（Philps）的LFPAK和QLPAK封裝
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首先開發SO-8的Philps也有改進SO-8的新封裝技術，就是LFPAK和QLPAK。
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意法半導體的SO-8改進技術叫做Power SO-8。
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飛兆（Fairchild）半導體的Power 56封裝
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飛兆半導體的SO-8改進技術叫做Power 56。
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國際整流器（IR）的Direct FET封裝1、Direct FET封裝屬于反裝型的，漏極（D）的散熱板朝上，并覆蓋金屬外殼，通過金屬外殼散熱。
2、Direct FET封裝極大地改善了散熱，并且占用空間更小，散熱良好
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